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英飛凌CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列
2024-01-31 264次

英飛凌CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,規格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯技術,CoolSiC?技術的輸出電流能力強,可靠性提高。

 

 

  產品型號:

  ?? IMYH200R012M1H

  ?? IMYH200R024M1H

  ?? IMYH200R050M1H

  ?? IMYH200R075M1H

  ?? IMYH200R0100M1H

  

 

  產品特點

  ●VDSS=2000V,可用于最高母線電壓為1500VDC系統

  ●開關損耗極低

  ●創新的HCC封裝

  ●針腳間爬電距離為14毫米

  ●5.4毫米電氣間隙

  ●柵極閾值電壓,VGS(th)=4.5V

  ●用于硬換流的堅固體二極管

  ●.XT互聯技術可實現同類最佳的散熱性能

  高耐濕性

 

 

  應用價值

  ●市場上首款分立式碳化硅MOSFET器件,阻斷電壓高達2000V

  ●1500V的DC的變流器可以用兩電平實現

  ●1700V SiC MOSFET相比,1500 VDC系統具有足夠的過壓裕量

  ●TO-247封裝,具有高爬電距離和間隙

 

 

  應用領域

  ●光伏逆變器

  ●儲能系統

  ●電動汽車充電

 

  • 英飛凌CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列
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